STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 400 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Tensione diretta del diodo: 0.86V, MPN: STB11NM80T4
STMicroelectronics MOSFET, STB11NM80T4, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK Simple
STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 400 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 0.86V, MPN: STB11NM80T4