STMicroelectronics MOSFET, canale N, 25 mΩ, 40 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 25 mΩ, 40 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Resistenza massima drain source: 25 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±22 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: STL40DN3LLH5