Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: Si7172ADP-T1-RE3