Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 79 A 100 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 79 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: SIR104DP-T1-RE3