Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 5 mΩ, 100 A, TO-252, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 5 mΩ, 100 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 136 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, MPN: SQD40031EL_GE3