STMicroelectronics MOSFET, canale N, 36 mΩ, 72 A, TO-247, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 36 mΩ, 72 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Resistenza massima drain source: 36 MO, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STWA75N60DM6