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onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 3.93

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 3.93

1

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 3.93

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 8, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 2.57

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 8, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 4.37

1

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0064 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 2.57

1

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0064 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 4.37

1

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0064 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 4.37

1

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0064 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: NTMTS6D0N15MC

EUR 2.57

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3.1mm, MPN: NTGS3441T1G

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTGS3441T1G

EUR 0.18

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTGS3441T1G

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 6.1mm, Lunghezza: 6.6mm, MPN: FQU17P06TU

EUR 1.08

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 2.39mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: FQD17P06TM

EUR 1.13

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQU17P06TU

EUR 1.23

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQD17P06TM

EUR 1.23

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQD17P06TM

EUR 0.48

1

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQU17P06TU

EUR 1.11

1

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω, Numero di uscite: 1, Potenza nominale: 260W, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +135 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 26.2 x 10.7 x 3.4mm, MPN: FSFR1800XS

EUR 1.92

1

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω, Numero di uscite: 1, Potenza nominale: 260W, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +135 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 26.2 x 10.7 x 3.4mm, MPN: FSFR1800XS

EUR 4.64

1

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines, Resistencia de Encendido: 0.95Ω, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 26.2 x 10.7 x 3.4mm, Longitud: 26.2mm, Ancho: 10.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +135 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 3.96

1

onsemi, FSFR1800XS, SIP, 9 broches

onsemi, SIP, 9 broches, Résistance RDSon de commutation: 0.95Ω, Nombre de sorties: 1, Tension: 350 → 400V, Courant: 7A, Puissance: 260W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 26.2 x 10.7 x 3.4mm, Longueur: 26.2mm, Largeur: 10.7mm, Température d'utilisation maximum: +135 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: FSFR1800XS

EUR 3.96

1

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω, Numero di uscite: 1, Tensione: 350 → 400V, Potenza nominale: 260W, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 26.2 x 10.7 x 3.4mm, Lunghezza: 26.2mm, Larghezza: 10.7mm, Massima temperatura operativa: +135 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FSFR1800XS

EUR 3.96

1

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines, Resistencia de Encendido: 0.95Ω, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 400 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +135 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 26.2 x 10.7 x 3.4mm

EUR 4.64

1

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines, Resistencia de Encendido: 0.95Ω, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 400 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +135 ºC, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 26.2 x 10.7 x 3.4mm

EUR 1.92

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onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines

onsemi, FSFR1800XS, SIP, 9 broches

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines

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onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 135 A, DFNW, Montaggio superficiale

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onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFNW 135 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET, NTMTS6D0N15MC-1, N-Canal-Canal, 135 A, 150 V, 8-Pin, DFNW

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 1,65 A, TSOP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

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onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 135 mΩ, 12 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, SIP, 9 pin, 400 V, 7A, 0.95Ω

onsemi Interruptor de potencia inteligente FSFR1800XS, 350 → 400V 7A 260W SIP 9 pines

onsemi, FSFR1800XS, SIP, 9 broches

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