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onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -180 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 1 MHz, Dimensioni: 8 x 3.25 x 11mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -0,5 V, MPN: KSA1142OSTU

EUR 0.45

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10L

EUR 1.21

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10L

EUR 1.21

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onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN352AP

EUR 0.45

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onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS0605

EUR 0.06

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onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.10

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onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN352AP

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onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR1P02T1G

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onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS0605

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onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NVR1P02T1G

EUR 0.34

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCMT180N65S3

EUR 1.68

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCMT180N65S3

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL640A

EUR 1.52

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL640A

EUR 1.68

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTP3055VL

EUR 1.44

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTP3055VL

EUR 1.60

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQD13N10LTM

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTD3055VL

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQD13N10TM

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, IPAK (TO-251), Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQU13N10LTU

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onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NTD2955T4G

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, IPAK (TO-251), Su foro

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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