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Vishay Siliconix MOSFET AEC-Q101 SQS966ENW-T1_GE3 2, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET AEC-Q101 SQS966ENW-T1_GE3 2, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET AEC-Q101 SQS966ENW-T1_GE3 2, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Si, Corrente massima continuativa di drain: 6 A, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 60 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 27,8 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C

EUR 0.41
1

Vishay Siliconix MOSFET AEC-Q101 SQS944ENW-T1_GE3 2, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET AEC-Q101 SQS944ENW-T1_GE3 2, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET AEC-Q101 SQS944ENW-T1_GE3 2, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Si, Corrente massima continuativa di drain: 6 A, Tensione massima drain source: 40 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 40 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 27,8 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C

EUR 0.40
1

Vishay Siliconix MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 1, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Singolo Si

Vishay Siliconix MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 1, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Singolo Si

Vishay Siliconix MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 1, canale N, 1212, 8 Pin TrenchFET Singolo Si, Corrente massima continuativa di drain: 60 A, Tensione massima drain source: 40 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 2 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Tensione massima gate source: -16 V, +20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C

EUR 0.58
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, 34 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16
2

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, 34 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46
2

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84
2

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tension Grille Source maximum: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), -12 V (canal 2), -16 V (canal 1), Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.96
2

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: SiDR622DP-T1-GE3

EUR 2.21
2