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Vishay Common - Drain Dual N-Channel 25 V (S1-S

Vishay Common - Drain Dual N-Channel 25 V (S1-S, Courant continu de Drain maximum: 60 A, Type de boîtier: PowerPak 1212-SCD, Type de montage: CMS, Nombre de broches: 8, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 69,4 W, Configuration du transistor: Drain commun, Tension Grille Source maximum: -12 V, +16 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SISF02DN-T1-GE3

EUR 0.85

1

Vishay MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune

Vishay MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune, Corrente massima continuativa di drain: 52 A, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 18 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 69,4 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C

EUR 0.88

1

Vishay MOSFET SISF02DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune

Vishay MOSFET SISF02DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune, Corrente massima continuativa di drain: 60 A, Tensione massima drain source: 25 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 5 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 69,4 W, Tensione massima gate source: -12 V, +16 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C

EUR 0.85

1

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @, Courant continu de Drain maximum: 8 A, Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0192 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Série: TrenchFET, MPN: SI3421DV-T1-GE3

EUR 0.45

2

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V, Courant continu de Drain maximum: 7,2 A, Tension Drain Source maximum: 40 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,062 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI4447ADY-T1-GE3

EUR 0.54

2

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V, Courant continu de Drain maximum: 3,6 A, Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,068 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI2300DS-T1-GE3

EUR 0.39

2

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V, Courant continu de Drain maximum: 6 A, Tension Drain Source maximum: 20 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,067 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI2399DS-T1-GE3

EUR 0.47

2

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V, Corrente massima continuativa di drain: 3,1 A, Tensione massima drain source: 100 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,189 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Serie: TrenchFET, MPN: SI2392ADS-T1-GE3

EUR 0.21

1

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -, Courant continu de Drain maximum: 3,1 A, Tension Drain Source maximum: 20 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,112 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: TrenchFET, MPN: SI2301CDS-T1-E3

EUR 0.44

2

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @, Corrente massima continuativa di drain: 8 A, Tensione massima drain source: 30 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,0192 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Serie: TrenchFET, MPN: SI3421DV-T1-GE3

EUR 0.20

1

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -, Corrente massima continuativa di drain: 3,1 A, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,112 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Serie: TrenchFET, MPN: SI2301CDS-T1-E3

EUR 0.14

1

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V, Corrente massima continuativa di drain: 6 A, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,067 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Serie: TrenchFET, MPN: SI2399DS-T1-GE3

EUR 0.22

1

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V, Courant continu de Drain maximum: 3,1 A, Tension Drain Source maximum: 100 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,189 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Série: TrenchFET, MPN: SI2392ADS-T1-GE3

EUR 0.50

2

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V, Corrente massima continuativa di drain: 29 A, Tensione massima drain source: 30 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,0077 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Serie: TrenchFET, MPN: SI4459ADY-T1-GE3

EUR 1.97

1

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V, Corrente massima continuativa di drain: 7,2 A, Tensione massima drain source: 40 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,062 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Serie: TrenchFET, MPN: SI4447ADY-T1-GE3

EUR 0.30

1

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V, Corrente massima continuativa di drain: 3,6 A, Tensione massima drain source: 30 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,068 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Serie: TrenchFET, MPN: SI2300DS-T1-GE3

EUR 0.21

1

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V, Courant continu de Drain maximum: 29 A, Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0077 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI4459ADY-T1-GE3

EUR 1.82

2

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 BWL 20V 4.6mohm @

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 BWL 20V 4.6mohm @, Courant continu de Drain maximum: 19,8 A, Tension Drain Source maximum: 20 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,006 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: TrenchFET, MPN: SI4204DY-T1-GE3

EUR 1.03

1

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 12mohm @ 10V- Lead

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 12mohm @ 10V- Lead, Courant continu de Drain maximum: 19,7 A, Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0165 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI4425DDY-T1-GE3

EUR 0.86

2

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(, Courant continu de Drain maximum: 14,9 A, Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0205 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SI4825DDY-T1-GE3

EUR 0.86

2

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 30V 88mohm @ 10V - Le

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 30V 88mohm @ 10V - Le, Courant continu de Drain maximum: 3,5 A, Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,138 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Série: TrenchFET, MPN: SI2307CDS-T1-GE3

EUR 0.47

2

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 58mohm @ 10V

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 58mohm @ 10V, Courant continu de Drain maximum: 5,3 A, Tension Drain Source maximum: 60 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,072 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Série: TrenchFET, MPN: SI4900DY-T1-E3

EUR 1.16

2

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 41mohm @ 10V 1

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 41mohm @ 10V 1, Corrente massima continuativa di drain: 6,5 A, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,052 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Serie: TrenchFET, MPN: SI4946BEY-T1-E3

EUR 0.74

1

Vishay P-Ch MOSFET SC-70-6 (SOT-363) 12V 34mohm

Vishay P-Ch MOSFET SC-70-6 (SOT-363) 12V 34mohm, Courant continu de Drain maximum: 4 A, Tension Drain Source maximum: 12 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,034 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: TrenchFET, MPN: SI1401EDH-T1-GE3

EUR 0.39

2

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Genre

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Prix (EUR)

Vishay Common - Drain Dual N-Channel 25 V (S1-S

Vishay MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune

Vishay MOSFET SISF02DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 BWL 20V 4.6mohm @

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 12mohm @ 10V- Lead

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 30V 88mohm @ 10V - Le

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 58mohm @ 10V

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 41mohm @ 10V 1

Vishay P-Ch MOSFET SC-70-6 (SOT-363) 12V 34mohm

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Vishay Common - Drain Dual N-Channel 25 V (S1-S

Vishay MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune

Vishay MOSFET SISF02DN-T1-GE3 2, canale N, PowerPak 1212-SCD, 8 Pin Drain comune

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -

Vishay P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 19.2mohm @

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 112mohm @ 4.5V -

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 20V 45mohm @ 4.5V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 100V 189mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V

Vishay N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 BWL 20V 4.6mohm @

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 12mohm @ 10V- Lead

Vishay P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(

Vishay P-Ch MOSFET SOT-23 30V 88mohm @ 10V - Le

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 58mohm @ 10V

Vishay Dual N-Ch MOSFET SO-8 60V 41mohm @ 10V 1

Vishay P-Ch MOSFET SC-70-6 (SOT-363) 12V 34mohm

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