Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 100 A, DPAK, Montaggio superficiale
Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 100 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: TK100S04N1L