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Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.15V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.65V, Dissipation de puissance maximum: 96 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: CSD25404Q3T

EUR 1.03
1

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 195 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: CSD19502Q5BT

EUR 3.24
1

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 195 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: CSD19502Q5BT

EUR 2.32
1

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal N,, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 195 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1V, MPN: CSD19502Q5BT

EUR 2.58
1

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.15V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.65V, Dissipation de puissance maximum: 96 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: CSD25404Q3T

EUR 1.51
1

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches

Texas Instruments MOSFET canal P,, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.15V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.65V, Dissipation de puissance maximum: 96 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Tension directe de la diode: 1V, MPN: CSD25404Q3T

EUR 1.20
1