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STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK 11 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK 11 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK 11 A 800 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 400 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB11NM80T4

EUR 7.82
3

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP11NM80

EUR 5.92
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF11NM80

EUR 5.89
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP11NM80

EUR 6.94
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW11NM80

EUR 5.77
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF11NM80

EUR 6.94
1

STMicroelectronics Détecteur de proximité optique VL53L0CXV0DH/1, Capteur de proximité, 400 KHz 2m LGA, 12 broches

STMicroelectronics Détecteur de proximité optique VL53L0CXV0DH/1, Capteur de proximité, 400 KHz 2m LGA, 12 broches

STMicroelectronics Détecteur de proximité optique VL53L0CXV0DH/1, Capteur de proximité, 400 KHz 2m LGA, 12 broches, Tension de sortie maximum: 0,4 V, Mode découpage: Numérique, Type de montage: CMS, Dimensions: 4.4 x 2.4 x 1mm, Longueur: 4.4mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,5 V, Température d'utilisation maximum: +70 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,6 V

EUR 5.06
3

STMicroelectronics MOSFET, STP11NM80, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP11NM80, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 400 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.15mm, MPN: STP11NM80

EUR 5.89
1

STMicroelectronics MOSFET, STF11NM80, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF11NM80, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 800 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 400 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 35000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.3mm, MPN: STF11NM80

EUR 5.89
1