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STMicroelectronics MOSFET, STH3N150-2, N-Canal-Canal, 2,5 A, 1.500 V, 3-Pin, H2PAK-2 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH3N150-2, N-Canal-Canal, 2,5 A, 1.500 V, 3-Pin, H2PAK-2 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 2,5 A, 1.500 V, 3-Pin, H2PAK-2 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 140 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 4.8mm, MPN: STH3N150-2

EUR 5.26
1

STMicroelectronics MOSFET, STH3N150-2, N-Canal-Canal, 2,5 A, 1.500 V, 3-Pin, H2PAK-2 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH3N150-2, N-Canal-Canal, 2,5 A, 1.500 V, 3-Pin, H2PAK-2 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 2,5 A, 1.500 V, 3-Pin, H2PAK-2 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 140 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STH3N150-2

EUR 5.59
1