STMicroelectronics MOSFET, canale N, 38 mΩ, 69 A, TO-247, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 38 mΩ, 69 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.15mm, MPN: STW77N65M5