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STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL42P4LLF6

EUR 0.71
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.86
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 4.80
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.68
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 26 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 26 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 26 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 70 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.86
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 26 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 26 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 26 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 70 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.68
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 26 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 26 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 26 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 4.80
1

STMicroelectronics MOSFET, STW33N60M2, N-Canal-Canal, 26 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW33N60M2, N-Canal-Canal, 26 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh M2 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW33N60M2

EUR 4.83
1

STMicroelectronics MOSFET, STP24NF10, N-Canal-Canal, 26 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP24NF10, N-Canal-Canal, 26 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.68
1

STMicroelectronics MOSFET, STP24NF10, N-Canal-Canal, 26 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP24NF10, N-Canal-Canal, 26 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.86
1

STMicroelectronics MOSFET, STW33N60M2, N-Canal-Canal, 26 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW33N60M2, N-Canal-Canal, 26 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh M2 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 4.80
1