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STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple, MPN: STGW100H65FB2-4

EUR 6.52

1

STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 441 W, MPN: STGW100H65FB2-4

EUR 7.57

1

STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 441 W, MPN: STGW100H65FB2-4

EUR 6.54

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches, MPN: SCTWA90N65G2V-4

EUR 35.33

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 17.15

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches, MPN: STW48N60M6-4

EUR 7.36

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 11.88

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches, MPN: STN3NF06

EUR 0.81

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches, MPN: STW68N65DM6-4AG

EUR 17.08

1

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches, MPN: M24256X-FCU6T/VF

EUR 0.39

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0.024 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCTWA90N65G2V-4

EUR 31.77

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0.024 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCTWA90N65G2V-4

EUR 36.06

1

STMicroelectronics IGBT, STGW75H65DFB2-4,, 115 A, 650 V, A-247, 4 broches

STMicroelectronics IGBT,, 115 A, 650 V, A-247, 4 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 357 W, MPN: STGW75H65DFB2-4

EUR 5.45

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,061 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Matériau du transistor: SiC, MPN: STW48N60M6-4

EUR 8.36

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,061 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Matériau du transistor: SiC, MPN: STW48N60M6-4

EUR 9.70

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,067 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 12.90

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,067 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 17.49

1

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches, Type de montage: CMS, Temps d'accès aléatoire maximum: 900ns, MPN: M24256X-FCU6T/VF

EUR 0.39

1

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches, Type de montage: CMS, Temps d'accès aléatoire maximum: 900ns, MPN: M24256X-FCU6T/VF

EUR 0.33

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,036 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 12.14

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,036 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 13.78

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 39 mΩ, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: STW68N65DM6-4AG

EUR 12.49

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 39 mΩ, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: STW68N65DM6-4AG

EUR 17.46

1

STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches, MPN: SCTWA60N120G2-4

EUR 23.49

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,007 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: STN3N, MPN: STN3NF06

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Prix (EUR)

STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

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STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics IGBT, STGW75H65DFB2-4,, 115 A, 650 V, A-247, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches

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STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

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STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches

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STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple

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STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

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STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches

STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

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STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches

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