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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STB140NF75T4

EUR 3.62
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 75 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP140NF75

EUR 3.38
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 75 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP140NF75

EUR 2.87
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 310 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STB140NF75T4

EUR 1.99
1