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STMicroelectronics MOSFET, STN1NK80Z, N-Canal-Canal, 250 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STN1NK80Z, N-Canal-Canal, 250 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 250 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 1.8mm, MPN: STN1NK80Z

EUR 0.97
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STMicroelectronics MOSFET, STN1NK80Z, N-Canal-Canal, 250 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STN1NK80Z, N-Canal-Canal, 250 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 250 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STN1NK80Z

EUR 1.29
1