Renesas Electronics Transistor, NPN Complexe, 30 mA, 8 V, SOIC, 8 broches Hex
Renesas Electronics Transistor, NPN Complexe, 30 mA, 8 V, SOIC, 8 broches Hex, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 12 Mo, Tension Emetteur Base maximum: 5,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10000 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 6, Dimensions: 1.5 x 5 x 4mm, Hauteur: 1.5mm, MPN: HFA3101BZ