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Renesas Electronics MOSFET canal N,, TO-3P 4 A 1500 V, 3 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, TO-3P 4 A 1500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: Silicium, MPN: 2SK1835-E

EUR 5.71

1

Renesas Electronics MOSFET canal N,, TO-3P 4 A 1500 V, 3 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, TO-3P 4 A 1500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: Silicium, MPN: 2SK1835-E

EUR 6.70

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Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 25 A 60 V, 5 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 25 A 60 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,014 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: RJK0651DPB-00#J5

EUR 0.65

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Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 25 A 60 V, 5 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 25 A 60 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,014 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: RJK0651DPB-00#J5

EUR 1.38

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Renesas Electronics MOSFET canal N,, WPAK 50 A 30 V, 8 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, WPAK 50 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0029 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: BEAM, MPN: RJK0391DPA-00#J5A

EUR 0.73

1

Renesas Electronics MOSFET canal N,, WPAK 50 A 30 V, 8 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, WPAK 50 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0029 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: BEAM, MPN: RJK0391DPA-00#J5A

EUR 1.54

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Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 40 A 60 V, 5 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 40 A 60 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: RJK0656DPB-00#J5

EUR 1.00

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Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 40 A 60 V, 5 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 40 A 60 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: RJK0656DPB-00#J5

EUR 2.20

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Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 25 A 60 V, 5 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, LFPAK 25 A 60 V, 5 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, WPAK 50 A 30 V, 8 broches

Renesas Electronics MOSFET canal N,, WPAK 50 A 30 V, 8 broches

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