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Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9Y7R6-40E,115

EUR 1.03
1

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 37 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9Y29-40E,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 37 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: BUK9Y29-40E,115

EUR 0.41
1

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: BUK9Y7R6-40E,115

EUR 0.64
1

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 15,28 mΩ, 79 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9Y7R6-40E,115

EUR 0.53
1

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Power SO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 37 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9Y29-40E,115

EUR 0.68
1