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Microchip MOSFET canal N,, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.8V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 30 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VN10KN3-G

EUR 0.42
3

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 310 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.8V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 30 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VN10KN3-G

EUR 0.39
1

Microchip MOSFET, VN10KN3-G, N-Canal-Canal, 310 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 VN10K Simple

Microchip MOSFET, VN10KN3-G, N-Canal-Canal, 310 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 VN10K Simple

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 310 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 VN10K Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 30 V, Longitud: 5.08mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: VN10KN3-G

EUR 0.39
1