Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0023 O, 200 A, P/G-HSOF, Montaggio superficiale
Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0023 O, 200 A, P/G-HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Serie: OptiMOS 5, MPN: IAUT200N08S5N023ATMA1