Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V
Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,015 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F415MR12W2M1B76BOMA1
