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IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 6 broches, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 35pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, MPN: LCA110LS

EUR 1.79
1

IXYS Relais statique,, 200 mA rms/mA c.c., 350 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 200 mA rms/mA c.c., 350 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 200 mA rms/mA c.c., 350 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: Unidirectionnel, Capacité: 205pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, Courant de fuite à l'état bloqué: 1 μA, MPN: CPC1510GS

EUR 2.05
1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.04
1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 9.15mm, Longitud: 10.66mm, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.18
1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.76
1

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16.26mm, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.82
1

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.82
1

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH70N20Q3, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.74
1

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 350 mA dc, ac / dc, MOSFET, SPNO

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 350 mA dc, ac / dc, MOSFET, SPNO

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 350 mA dc, ac / dc, MOSFET, SPNO, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tiempo de Activación Máximo: 2 ms, Dimensiones: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Número de polos: 1, Tipo de relé: Unidireccional, Capacidad: 205pF, Profundidad: 6.35mm, Altura: 3.3mm, Longitud: 8.38mm, Corriente de Fuga en Estado Inactivo: 1 μA, MPN: CPC1510GS

EUR 2.05
1

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 300 mA dc, ac / dc, MOSFET, SP-NC

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 300 mA dc, ac / dc, MOSFET, SP-NC

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 300 mA dc, ac / dc, MOSFET, SP-NC, Corriente de Carga Máxima: 0,3 A, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tipo de Encapsulado: Pequeño - 6 pines, Tiempo de Activación Máximo: 5 ms, Dimensiones: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Número de polos: 1, Tipo de relé: OptoMOS, Capacidad: 50pF, Profundidad: 6.35mm, Altura: 3.3mm, Longitud: 8.38mm, MPN: LCB127S

EUR 3.49
1