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IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFR44N80P

EUR 22.62

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IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFR44N80P

EUR 22.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFR44N80P

EUR 19.93

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IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.26mm, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.07

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IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 14.82

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1250 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.06

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.3mm, Altezza: 21.46mm, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.32

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1250 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 15.96

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IXYS MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 680 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXFN200N10P

EUR 25.93

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IXYS MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 680 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXFN200N10P

EUR 23.90

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 1500 Vrms, Caratteristiche speciali: Carico nominale continuo 100 mA, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1001N

EUR 0.78

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 1500 Vrms, Caratteristiche speciali: Carico nominale continuo 100 mA, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1001N

EUR 0.80

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 1500 Vrms, Caratteristiche speciali: Carico nominale continuo 100 mA, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1001N

EUR 0.47

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 5000 V rms, Caratteristiche speciali: Senza generazione di archi elettrici e senza circuiti soppressori, Elevata affidabilità, MPN: CPC1303GR

EUR 0.55

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 5000 V rms, Caratteristiche speciali: Senza generazione di archi elettrici e senza circuiti soppressori, Elevata affidabilità, MPN: CPC1303G

EUR 0.73

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 5000 V rms, Caratteristiche speciali: Senza generazione di archi elettrici e senza circuiti soppressori, Elevata affidabilità, MPN: CPC1303G

EUR 1.18

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 5000 V rms, Caratteristiche speciali: Senza generazione di archi elettrici e senza circuiti soppressori, Elevata affidabilità, MPN: CPC1303G

EUR 1.18

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 5000 V rms, Caratteristiche speciali: Senza generazione di archi elettrici e senza circuiti soppressori, Elevata affidabilità, MPN: CPC1303GR

EUR 0.54

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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 5000 V rms, Caratteristiche speciali: Senza generazione di archi elettrici e senza circuiti soppressori, Elevata affidabilità, MPN: CPC1303GR

EUR 0.51

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IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.33

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IXYS MOSFET, canale N, 34 mΩ, 74 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 34 mΩ, 74 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 480 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXFH74N20P

EUR 5.78

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IXYS MOSFET, canale N, 22 mΩ, 120 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 22 mΩ, 120 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 714 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH120N20P

EUR 12.07

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IXYS MOSFET, canale N, 1,44 Ω, 7 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 1,44 Ω, 7 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP7N80P

EUR 3.72

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IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 18 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 680 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.23mm, MPN: IXFN140N20P

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IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 25 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

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IXYS MOSFET, canale N, 1,44 Ω, 7 A, TO-220, Su foro

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247

IXYS MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 200 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

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