IXYS MOSFET, IXFN360N15T2, N-Canal-Canal, 310 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET
IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 310 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,07 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXFN360N15T2