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Fairchild Semiconductor MOSFET, canale N, 2,4 mΩ, 7,3 mΩ, 20 A, 60 A, Power 33, Montaggio superficiale

Fairchild Semiconductor MOSFET, canale N, 2,4 mΩ, 7,3 mΩ, 20 A, 60 A, Power 33, Montaggio superficiale

Fairchild Semiconductor MOSFET, canale N, 2,4 mΩ, 7,3 mΩ, 20 A, 60 A, Power 33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, 2 W, Configurazione transistor: Serie, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDPC8011S

EUR 1.17
1

Fairchild Semiconductor MOSFET, FDMS7602S, Dual, N-Canal-Canal, 50 A, 80 A, 30 V, 8-Pin, Power 56 PowerTrench, SyncFET Serie Si

Fairchild Semiconductor MOSFET, FDMS7602S, Dual, N-Canal-Canal, 50 A, 80 A, 30 V, 8-Pin, Power 56 PowerTrench, SyncFET Serie Si

Fairchild Semiconductor MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 50 A, 80 A, 30 V, 8-Pin, Power 56 PowerTrench, SyncFET Serie Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,2 mΩ, 12 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,2 W a 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDMS7602S

EUR 1.71
1