DiodesZetex MOSFET, canale N, 500 mΩ, 1,3 A, X2-DFN1006, Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, 500 mΩ, 1,3 A, X2-DFN1006, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.35mm, Lunghezza: 1.05mm, MPN: DMN2300UFB4-7B